PECVD设备
应用于逻辑和存储芯片制造
CQ9电子上海的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备可应用于SiO2, SiNx, Carbon，NDC薄膜沉积工艺， 未来可以扩展至单片式PEALD薄膜沉积工艺进行平台化扩展。
CQ9电子
主要优势
配置了具有自主知识产权的腔体设计和单腔体多加热盘布局
配置了特殊的气体分配装置和卡盘设计
针对薄膜叠层的变换可以提供更好的薄膜均匀性，更优的薄膜应力和更少的颗粒特性
兼顾高产能要求每个腔体都安装有多个加热盘
灵活配置腔体数量兼顾不同产能要求
自主开发的控制软件能够灵活配置满足相应需求
独特设计的真空机械手臂匹配腔体多加热盘晶圆存取规则
工艺温度兼容200C到650C的各种PECVD沉积薄膜要求
特性和规格
可适用于300mm晶圆各种薄膜沉积需求
该设备采用单腔体模块化设计，有两种配置：
一种是可配置一至三腔体模块，适用于沉积比较薄的薄膜兼顾产能大小
一种是可配置四至五腔体模块，适用于沉积比较厚的薄膜兼容长臂真空机械手臂
